技術(shù)編號(hào)：6757719
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。示例性實(shí)施例涉及可在存儲(chǔ)裝置中對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程的設(shè)備和方法。此外， 示例性實(shí)施例涉及可在多層單元(MLC)或多比特單元(MBC)存儲(chǔ)裝置中 對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程的設(shè)備和方法。背景技術(shù)單層單元(SLC)存儲(chǔ)裝置可在單個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)。SLC存 儲(chǔ)器可稱(chēng)為單比特單元(SBC)存儲(chǔ)器。在SLC存儲(chǔ)裝置的單層單元中存儲(chǔ) 1位數(shù)據(jù)的處理可稱(chēng)為編程處理，并可改變單層單元的閾值電壓。例如，當(dāng) 在單層單元中存儲(chǔ)邏輯值'T，的數(shù)據(jù)時(shí)，單層單元可具有l(wèi).OV的閾值電壓。 當(dāng)在...
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