技術編號：6757978
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及改進靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)穩(wěn)定性，更具體地，涉及改進SRAM半選穩(wěn)定性。背景技術 集成電路(IC)通常以公知的被稱為CMOS的互補絕緣柵場效應晶體管(FET)技術中制造。CMOS技術和芯片制造的進步已經導致了芯片特征尺寸持續(xù)減小，從而增加了芯片上的電路開關頻率(電路性能)和晶體管的數量(電路密度)。在一般所稱的縮放(scaling)期間，器件或場效應晶體管(FET)特征被縮小，以縮小相應的器件最小尺寸，包括水平尺寸(例如最小溝道長度)和豎...
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