技術(shù)編號(hào):6758111
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及相對(duì)膜面以垂直方向通過(guò)電流的構(gòu)造的磁阻效應(yīng)元件以及使用了該元件的磁頭、磁記錄再生裝置以及磁存儲(chǔ)器。背景技術(shù) 隨著磁性體的疊層構(gòu)造體中的巨磁阻效應(yīng)(GMR)的發(fā)現(xiàn),磁器件的性能正在飛速地提高。特別是,自旋閥膜(SV膜)由于具有能夠容易地適用于磁器件的構(gòu)造,能夠有效地發(fā)揮GMR效應(yīng),因此給磁頭以及MRAM(磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等磁器件帶來(lái)了非常大的技術(shù)進(jìn)步。所謂“自旋閥膜”指的是一種疊層膜,具有把非磁性金屬隔離層夾在2個(gè)強(qiáng)磁性層之間的構(gòu)造,用反強(qiáng)磁性層...
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