技術(shù)編號：6759116
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及可再編程的非易失性存儲器的結(jié)構(gòu)和操作，特別是涉及通過改良的襯底 熱電子注入技術(shù)來對快閃半導(dǎo)體存儲器單元編程。本文參考的所有專利、專利申請案、 文章和其它公開案、文獻(xiàn)和數(shù)據(jù)的全文針對所有目的而以引用的方式并入本文中。技術(shù)背景如今有許多商業(yè)上成功的非易失性存儲器產(chǎn)品正在被使用，尤其是以小型記憶卡和 快閃存儲器驅(qū)動器的形式。 一陣列的個(gè)別存儲器單元形成在具有導(dǎo)電性浮動?xùn)艠O的半導(dǎo) 體晶片上，大多數(shù)柵極一般由摻雜多晶硅材料制成，根據(jù)待存儲在單元中的數(shù)據(jù)而在...
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