技術(shù)編號(hào)：6759728
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，具體涉及能夠?qū)崿F(xiàn)高速工作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置例如DRAM或SRAM中，信號(hào)在存儲(chǔ)器墊(mat)中在字線(xiàn)和位線(xiàn)的較長(zhǎng)距離上傳輸。因此，必須使與字線(xiàn)和位線(xiàn)中的RC延遲相關(guān)的定時(shí)余量取較大值。當(dāng)線(xiàn)例如字線(xiàn)或位線(xiàn)作為傳輸線(xiàn)時(shí)，該線(xiàn)不受RC延遲的影響，并且獲得的信號(hào)延遲僅僅是由電磁波速引起的延遲。通常，可以確保與常規(guī)余量相等或比常規(guī)余量大10倍...
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