技術(shù)編號(hào)：6760133
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于非揮發(fā)存儲(chǔ)器技術(shù)，尤其涉及到SONOS(硅—氧化層—氮化層—氧化層—硅)型快閃存儲(chǔ)器中的陣列架構(gòu)以及編程、擦除和讀取操作的一種陷阱電荷俘獲的快閃存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)及其操作方法。背景技術(shù) 快閃存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)掉電后仍然不會(huì)丟失的特點(diǎn)，特別適用于移動(dòng)通訊和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)部件等領(lǐng)域。有些快閃存儲(chǔ)器還具有高密度存儲(chǔ)能力，適用于大容量移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)等方面的應(yīng)用。傳統(tǒng)的快閃存儲(chǔ)器具有浮柵結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)包括一層隧穿氧化層，一層浮柵，一層浮柵與控制柵之間的介質(zhì)層，以及一...
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