技術編號：6760995
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲設備，具體而言，本發(fā)明適用于內部執(zhí)行操作定時控制的自定時半導體存儲設備。背景技術 通常，在例如SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)的半導體存儲器中，制造過程中出現(xiàn)的工藝偏差(存儲器宏塊(memory macro)之間的偏差和相鄰的晶體管之間的偏差等)有時會影響半導體存儲器的操作。一種可行的減輕工藝偏差對半導體存儲器操作的影響的方法是以具有充足定時余量的固定操作定時對半導體存儲器進行操作，但是使用這種方法不利于半導體存儲器的高速操作。由于上述原...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。