技術(shù)編號：6762120
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 對SRAM、SDRAM等的半導(dǎo)體存儲介質(zhì)進行存取的半導(dǎo)體裝置在電源處于ON狀態(tài)下，能夠不斷地對CPU等的總線主控器供給時鐘信號。專利文獻1特開平9-83247號公報(日本專利1997-83247號公報)發(fā)明內(nèi)容由此，諸如處于低速的半導(dǎo)體存儲介質(zhì)等待狀態(tài)的CPU也被供給時鐘信號而造成電力浪費。本發(fā)明鑒于以上問題，其目的在于削減對半導(dǎo)體存儲介質(zhì)進行存取的半導(dǎo)體裝置的功耗。(1)本發(fā)明涉及一種對半導(dǎo)體存儲介質(zhì)進行存取的半導(dǎo)體裝置，其特征在于...
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