技術(shù)編號：6764420
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及電可重寫非易失性存儲電路。更具體地說，本發(fā)明針對能夠縮短數(shù)據(jù)重寫時間的FLOTOX(浮柵隧道氧化物)型非易失性存儲電路。背景技術(shù)圖5中示出一種傳統(tǒng)的FLOTOX型非易失性存儲器。在這種FLOTOX型非易失性存儲器中，由電壓比較電路構(gòu)成的讀出放大器電路1把連接到各電流負(fù)載電路的一個實存儲元件6兩端的端電壓與一個虛存儲元件12兩端的端電壓相比較，以便判斷數(shù)據(jù)等于“0”還是等于“1”。電流負(fù)載電路分別由NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管2和3、...
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