技術編號:6768416
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明大體涉及內(nèi)存處理,尤其涉及一種使用數(shù)個雙倍數(shù)據(jù)率(DDR)內(nèi)存的方法、系統(tǒng)及設備。背景技術雙倍數(shù)據(jù)率(DDR)動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)為一種使用于裝置中的內(nèi)存集成電路以達成兩倍于先前單倍數(shù)據(jù)率DRAM的頻寬。這是藉由兩次唧取(亦即,在時鐘訊號的升緣及降緣都傳輸數(shù)據(jù))而不增加相關的時鐘頻率來實現(xiàn)。雙直列內(nèi)存模塊(DIMM)為包含一序列的動態(tài)隨機存取內(nèi)存集成電路的內(nèi)存模塊。基于DDR-DRAM的DIMM具有兩倍于時鐘速率的數(shù)據(jù)。這可藉由時鐘控制數(shù)據(jù)選...
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