技術(shù)編號：6768859
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總的來說涉及存儲器件，更具體地，涉及磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件 的寫入(編程)。背景技術(shù)半導(dǎo)體用在電子應(yīng)用的集成電路中，該電子應(yīng)用包括無線電設(shè)備、電視、蜂窩電話 和任何計算裝置。一種已知的半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體存儲器件，諸如動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)或閃速存儲器，它們都使用電荷來存儲信息。半導(dǎo)體存儲器件的近期開發(fā)涉及自旋電子技術(shù)，其將半導(dǎo)體技術(shù)與磁性材料和器 件相結(jié)合。電子的自旋極化(而不是電子電荷)被用于表示狀態(tài)“1”或“0”。如圖1所示...
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