技術編號：6769195
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種存儲器擦除方法，采取動態(tài)的方法在經(jīng)過不同的編程/擦除 循環(huán)次數(shù)后使用不同的擦除工作電壓。背景技術目前存儲器技術正向提高集成度以及縮小元件尺寸的方向發(fā)展，用戶使用 存儲器時，經(jīng)常要對存儲器進行保存和刪除信息并更新資料，因此就涉及到存 儲器的編程和擦除問題，除要求存儲器具備高存儲能力，低功耗及高可靠性夕卜， 對存儲器的耐久性(可以經(jīng)受編程/擦除循環(huán)的總次數(shù))也提出了高要求。例如，閃存一般要求耐久性在為1萬次到IO萬次以上，有些特殊應用(如智能卡，...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。