技術(shù)編號(hào)：6770259
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于作為非易失性及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取應(yīng)用的介電電荷捕捉存 儲(chǔ)器技術(shù)。背景技術(shù)目前的閃存產(chǎn)品典型的實(shí)現(xiàn)方式是使用一個(gè)NOR架構(gòu)或是一個(gè) NAND架構(gòu)。對(duì)于NOR架構(gòu)的閃存，此存儲(chǔ)器晶體管是被平行地連接，故而可提 供大的讀取電流(通常約為大于20微安培)。此大的讀取電流提供快速的隨 機(jī)存取讀取應(yīng)用(通常對(duì)于單一位讀取只需70 100納秒)。然而，對(duì)于NOR 快閃，程序化通常采用溝道熱電子(CHE)注入。CHE程序化消粍相對(duì)大量 的功率，限制了 NOR快閃總體...
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