技術(shù)編號(hào)：6770694
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，諸如半導(dǎo)體、器件，并且，更具體地，涉及對(duì)相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的寫(xiě)入操作的改善。背景技術(shù)在諸如計(jì)算機(jī)的電子系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)被廣泛地用于存儲(chǔ)信息。然而，DRAM和SRAM都是易失性存儲(chǔ)器，每當(dāng)電源中斷就會(huì)丟失所存儲(chǔ)的信息。因此，期望在非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)關(guān)鍵信息，特別是對(duì)于諸如移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)器件 (MID)等便攜電子系統(tǒng)而言。閃速存儲(chǔ)器是一種非易性失存儲(chǔ)器。然而，由于信息被存儲(chǔ)為浮置柵中的電荷...
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