技術(shù)編號(hào)：6770695
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總地涉及非易失性存儲(chǔ)器。更具體地，本發(fā)明涉及反熔絲器件。背景技術(shù)在下面描述中，術(shù)語(yǔ)MOS用于表示任意FET或MIS晶體管、半晶體管或電容器結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化實(shí)施例的描述，在下面，引用的柵極氧化層應(yīng)被理解為包括電介質(zhì)材料、氧化物或氧化物和電介質(zhì)材料的組合。在過去的30年間，反熔絲技術(shù)已經(jīng)引起大量發(fā)明者、IC設(shè)計(jì)者和制造商們的極大關(guān)注。反熔絲是可改變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)的結(jié)構(gòu)，或換言之，是從不導(dǎo)電狀態(tài)改變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)的電子器件。同樣，二進(jìn)制狀態(tài)，響應(yīng)于例如編程電壓或編程...
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