技術(shù)編號(hào)：6770849
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種閃存存儲(chǔ)器中使用的P型MOS 存儲(chǔ)單元。背景技術(shù)在存儲(chǔ)器(尤其是閃存)的設(shè)計(jì)中，對(duì)組成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)是一個(gè)很重 要的環(huán)節(jié)；原因在于，存儲(chǔ)單元的性能決定了存儲(chǔ)器總體性能，并且存儲(chǔ)單元的尺寸也覺(jué)得 了存儲(chǔ)器總體尺寸?，F(xiàn)有技術(shù)提出了一種如圖1所示的P型存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，該P(yáng)型存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu) 具有尺寸較小的優(yōu)點(diǎn)。其中，存儲(chǔ)單元包括布置在襯底P-Sub中的N阱中的源極有源區(qū)S、 中間有源區(qū)D*、漏極有源區(qū)D ；并且...
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