技術(shù)編號：6771642
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲裝置，特別涉及通過施加電壓脈沖進(jìn)行作為存儲單元的可變電阻元件的電阻狀態(tài)而存儲的信息的改寫的半導(dǎo)體存儲裝置。背景技術(shù)近年來，對代替閃速存儲器的新型非易失性半導(dǎo)體存儲裝置進(jìn)行了廣泛研究。其中，對于利用了通過向過渡金屬氧化物等可變電阻體膜施加電壓從而使電阻發(fā)生變化的現(xiàn)象的RRAM來說，在微細(xì)化極限這一點(diǎn)上比閃速存儲器有利，此外，能夠進(jìn)行高速的數(shù)據(jù)改寫，因此得到廣泛地研究開發(fā)。作為使用RRAM的存儲單元陣列的結(jié)構(gòu)，以往使用日本特開2002-15...
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