技術(shù)編號：6772675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有高GMR值的CCP-CPP磁阻讀取器背景技術(shù)已經(jīng)開發(fā)出用于高密度數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用的巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)器件。GMR 和TMR器件二者均以在兩個鐵磁層之間包括非磁性間隔層的多層讀取器疊層為特征。通 常，鐵磁層之一用作具有固定磁化強(qiáng)度的基準(zhǔn)或被釘扎層，而稱為自由層的另一鐵磁層具 有響應(yīng)于外部磁場而旋轉(zhuǎn)的磁化強(qiáng)度。在GMR器件中，非磁性間隔層是導(dǎo)電的。在TMR器 件中，該間隔層是在自由層與基準(zhǔn)層之間形成隧道勢壘的非常薄的電絕緣層。利用氧化鎂(Mg...
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