技術(shù)編號(hào)：6773402
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有存儲(chǔ)器器件的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，在該存儲(chǔ)器器件中， 兩個(gè)電極之間的電荷放電速度(rate)根據(jù)存儲(chǔ)的信息的邏輯而不同。背景技術(shù)已知通過(guò)對(duì)位線施加預(yù)充電電壓來(lái)讀出放電速度的差的非易失性存儲(chǔ)器器件。作為可以應(yīng)用這樣的讀取方法的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件的代表性的例子，有 (快閃)EEPROM。另一方面，為了替代TO型(快閃)EEPR0M，作為能夠以高速重寫(xiě)數(shù)據(jù)的非易失性存 儲(chǔ)器器件，可變電阻型存儲(chǔ)器器件已經(jīng)弓丨起關(guān)注。作為可變電阻型存儲(chǔ)器器件...
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