技術編號：6774167
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有快速列存取的隨機存取存儲器。背景技術 本領域公知的一種存儲器是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。一種DRAM是偽靜態(tài)隨機存取存儲器(PSRAM)。PSRAM是一種具有靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)接口用于無線應用的低功率DRAM。通常，DRAM包括至少一個存儲單元陣列。存儲單元陣列中的存儲單元以行或列布置，行沿x方向延伸，列沿y方向延伸。導電字線沿x方向跨接存儲單元陣列延伸，導電位線沿y方向跨接存儲單元陣列延伸。存儲單元位于字線和位線的各個交點...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。