技術(shù)編號(hào):6775910
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2002年12月16日、申請(qǐng)?zhí)枮?2828147.0、 發(fā)明名稱為""的 申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。背景技術(shù)1. 發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及集成存儲(chǔ)電路。更具體來(lái)講,它涉及用于把數(shù)據(jù)寫入 可編程導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)單元的方法。2. 先有技術(shù)的說(shuō)明DRAM集成電路陣列已經(jīng)存在了三十年以上,通過(guò)半導(dǎo)體制造 技術(shù)和電路設(shè)計(jì)技術(shù)的進(jìn)步,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了它們?cè)诖鎯?chǔ)容量上的顯著增 加。這兩種技術(shù)的極大進(jìn)步也實(shí)現(xiàn)了越來(lái)越高的集成度,這允許顯著 減小存儲(chǔ)陣列尺寸和成本...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)無(wú)源代碼,用于學(xué)習(xí)原理,如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。