技術編號：6776642
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導條儲裝置，特別是涉及{頓了非易失性的可變電阻元件 的非易失性半導^^儲裝置。背景技術當前，正在推進各種各樣的非易失性存儲器(非易失性半導,儲裝置)的研究開發(fā)，其中，以將電阻值的差異作為數(shù)據(jù)進行讀取的類型的MRAM (Magneto—resistance Random Access Memory)、 OUM (Ovonic UniversalMemory)等為f^的PRAM (Phase—change Random Access Memory)...
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