技術(shù)編號：6777597
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種微電子的器件及其制備方法，具體是一 種基于鎵摻 雜Ga3SbJ^相變存儲單元及其制備方法。背景技術(shù)相變存儲器(PCM)，顧名思義就是利用物質(zhì)相的變化來達(dá)到信息存儲目的 的一種存儲器。相變隨機存儲器由于具有非易失性、循環(huán)壽命長、元件尺寸小、 功耗低、可多級存儲、高速讀取、抗輻射、耐高低溫、抗振動、抗電子干擾和制 造工藝簡單等優(yōu)點，被認(rèn)為最有可能取代目前的FLASH和DRAM而成為未來半導(dǎo) 體存儲器主流產(chǎn)品。嵌入式相變存儲陣列是由存儲單元構(gòu)成的，...
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