技術(shù)編號：6777905
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及掩模型ROM等半導(dǎo)體存儲裝置。背景技術(shù) 在現(xiàn)有的掩模型ROM等半導(dǎo)體存儲裝置中，作為降低消耗電流的方法，為控制適宜的讀出動作時間，而利用具有與通常的讀出放大器電路及存儲元件電路相同構(gòu)成的虛擬讀出放大器電路及虛擬存儲元件電路的復(fù)制電路。下面，參照附圖說明現(xiàn)有的掩模型ROM的復(fù)制電路的動作方法。圖8是現(xiàn)有的掩模型ROM的讀出電路圖。讀出放大器電路1由如下部件構(gòu)成將預(yù)充電信號NPR作為柵極輸入的P型晶體管2；與P型晶體管2串聯(lián)連接的N型晶體管3；將N型...
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