技術(shù)編號：6778735
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及靜態(tài)存儲器領(lǐng)域，特別涉及。 背景技術(shù)現(xiàn)有閃存介質(zhì)(Flash)的生產(chǎn)及使用過程會產(chǎn)生壞位(Bit)或壞塊 (Block)。為確保閃存介質(zhì)存儲數(shù)據(jù)的可靠性， 一般需要在應(yīng)用閃存介質(zhì)的 系統(tǒng)或芯片中檢測出壞位或壞塊的位置，然后把壞位或壞塊中的數(shù)據(jù)糾正過 來，這一做法簡稱為校驗(ECC， Error Checking and Correcting)。對閃存 介質(zhì)中數(shù)據(jù)的校驗常用比較專用和較復(fù)雜的校驗技術(shù)，例如RS (Reed-Solomon)校驗或BC...
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