技術(shù)編號(hào):6780260
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種。 背景技術(shù)相變隨機(jī)存儲(chǔ)器具有高讀取速度、低功率、高容量、高可靠度、高寫擦次數(shù)、低工作 電壓/電流和低成本等特性,且非常適合與CMOS工藝結(jié)合,可用來作為較高密度的獨(dú)立式 或嵌入式的存儲(chǔ)器。目前,相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包括具有相變層的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)、連接到該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的晶 體管和與晶體管接的PN結(jié)二極管。根據(jù)施加到其上的電壓,相變層從結(jié)晶態(tài)變成非結(jié)晶 態(tài),或與此相反。如果所施加的電壓為設(shè)置電壓,相變層從非結(jié)晶態(tài)變成結(jié)晶態(tài)。如果所施 加的電...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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