技術(shù)編號(hào)：6781043
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。0001本發(fā)明一般地涉及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，諸如靜態(tài)隨機(jī)存取 存儲(chǔ)器(SRAM)。更特別地，本發(fā)明涉及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的 泄漏電流的減小。 背景技術(shù)0002在諸如存儲(chǔ)器電路的集成電路的設(shè)計(jì)中，功率消耗是非 常受關(guān)注的問題。在存儲(chǔ)器電路中，存儲(chǔ)器陣列典型地包括多個(gè)存儲(chǔ) 器單元。由于在亞微米技術(shù)中集成電路部件的物理尺寸減小，并且由 于希望減小運(yùn)行功率，在存儲(chǔ)器單元中使用具有減小的閾值電壓的晶 體管。因此，泄漏電流成為靜態(tài)功率消耗的主要部分。0003在功率敏感應(yīng)...
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