技術(shù)編號：6784342
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 —般來說，本發(fā)明涉及減小集成電路所消耗的功率的數(shù)量， 以及更具體來說，涉及減小動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)所消耗的備用 功率。技術(shù)背景 —種典型的DRAM存儲裝置由各包括晶體管和電容器的多個 存儲單元組成。各存儲單元以電壓形式存儲一位數(shù)據(jù)。高電壓電平(例 如3 V)表示邏輯'T，，而低電壓電平(例如0 V)則表示邏輯"0"。 存儲單元可按照陣列排列，其中的各存儲單元連接到字線和數(shù)字線 (digitline) 。 DRAM還可包括諸如驅(qū)動器、讀出放大器、...
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