技術(shù)編號：6787292
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電子元件的結(jié)構(gòu)，尤其是一種IGBT集電極結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)IGBT 絕緣柵型雙極晶體管的首字母簡稱，一種壓控型功率器件，作為高壓開關(guān)被普遍應(yīng)用。通常按照電場在漂移區(qū)內(nèi)耗盡情況，分為穿通型和非穿通型，后隨工藝發(fā)展又出現(xiàn)場截止型。如圖1所示，為非穿通型(NPT)器件，其芯片設(shè)計厚度較厚，導(dǎo)致器件的飽和導(dǎo)通壓降Vce (sat)較高，而且在器件關(guān)斷時，存在載流子復(fù)合過程，關(guān)斷時間較長，器件的動、靜態(tài)性能都較差。如圖2所示，為場截止型(FS)器件，由于在...
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