技術(shù)編號(hào)：6787756
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。申請(qǐng)日為2008年12月01日、申請(qǐng)?zhí)枮?0088079920.8、發(fā)明名稱(chēng)為“具有轂的晶片載具”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)是2007年12月12日提交的名稱(chēng)為“具有轂的晶片載具”的美國(guó)申請(qǐng)N0.12/001, 761的部分繼續(xù)申請(qǐng)，該申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容以引用方式并入本申請(qǐng)。背景技術(shù)本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。某些材料例如化合物半導(dǎo)體是這樣形成的，即通常為盤(pán)狀晶片的工件的表面在升高的溫度下被暴露于氣體，以使得氣體發(fā)生反應(yīng)并且在工件的表面上沉積期望的材料。例如，多層II1-...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。