技術(shù)編號：6787761
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于一種光電半導(dǎo)體裝置，尤其關(guān)于一種具有接觸層與不連續(xù)區(qū)的光電半導(dǎo)體裝置，以及與不連續(xù)區(qū)相關(guān)的圖案布局。背景技術(shù)已知發(fā)光二極管的一種結(jié)構(gòu)包含成長基板、η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層、與位于此二半導(dǎo)體層間的發(fā)光層。用以反射源自于發(fā)光層光線的反射層可選擇性地形成于此結(jié)構(gòu)中。為提高發(fā)光二極管的光學(xué)、電學(xué)、及力學(xué)特性的至少其一，一種經(jīng)適當(dāng)選擇的材料會(huì)用以替代成長基板以作為承載除成長基板外的其他結(jié)構(gòu)的載體，例如金屬或硅可用于取代成長氮化物的藍(lán)寶石基板。成長基板可使...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。