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技術(shù)編號(hào)：6787763

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本揭示內(nèi)容大體有關(guān)于精密半導(dǎo)體裝置的制造，且更特別的是，有關(guān)于形成用于各種類型半導(dǎo)體裝置的取代柵極結(jié)構(gòu)的各種方法。背景技術(shù)制造諸如CPU、存儲(chǔ)裝置、ASIC’s (特殊應(yīng)用集成電路)之類的先進(jìn)集成電路需要根據(jù)指定的電路布局在給定芯片區(qū)域中形成大量電路組件，其中所謂金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs或FETs)為一種重要的電路組件，其實(shí)質(zhì)上決定集成電路的效能。FET(不論是NFET還是PFET)為通常包含源極區(qū)、漏極區(qū)、位于源極區(qū)和漏極區(qū)間的信道區(qū)以及位...
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