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本發(fā)明主要是關(guān)于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M0SFET)，更確切地說，是關(guān)于一種用于超級結(jié)型MOSFET器件的終止結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)功率MOSFET典型應(yīng)用于需要功率轉(zhuǎn)換和功率放大的器件中。對于功率轉(zhuǎn)換器件來說，市場上可買到的代表性的器件就是雙擴(kuò)散MOSFET (DMOSFEt)0在一個典型的晶體管中，大部分的擊穿電壓BV都由漂移區(qū)承載，為了提供較高的擊穿電壓BV，漂移區(qū)要輕摻雜。然而，輕摻雜的漂移區(qū)會產(chǎn)生高導(dǎo)通電阻Rdsm。對于一個典型的晶體管而言，Rd...
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