技術(shù)編號：6788917
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法與封裝構(gòu)造。背景技術(shù)在現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝制造工藝中，依產(chǎn)品需求而定，晶圓、芯片或是中介層(interposer)的娃基板內(nèi)部會穿設(shè)有導(dǎo)電柱(又稱穿娃導(dǎo)通孔或是直通娃晶穿孔，through silicon via),所述導(dǎo)電柱會凸出于娃基板的非電路層的一第一表面，以與其他半導(dǎo)體構(gòu)造(例如上層芯片)電性連接。所述硅基板的第一表面會設(shè)有鈍化層以提供保護，前述導(dǎo)電柱凸出部分的裸露頂面則會設(shè)置底金屬層，以...
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