技術(shù)編號：6789232
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，特別一種具有六棱錐形P型氮化鎵的發(fā)光二極管制備方法。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)基發(fā)光二級管(LED)，因?yàn)槠涓叩墓庑А⒌偷墓囊约盁o污染等的優(yōu)良特性，已經(jīng)被廣泛研究被已進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)生長。傳統(tǒng)的LED外延片表面平整，因?yàn)镚aN本身折射率較高(2.52)，和空氣界面的全反射效應(yīng)嚴(yán)重，導(dǎo)致有源區(qū)發(fā)出的光線無法從LED中逃逸出來，光提取效率偏低一直是實(shí)現(xiàn)高效LED的一個瓶頸。人們也開發(fā)了很多用于改善光提取效率的方法，包括圖形襯底，P型氮化鎵表面粗...
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