技術(shù)編號：6789456
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于薄膜電容器領(lǐng)域，特別是涉及。背景技術(shù)現(xiàn)有薄膜電容器中，由于對電容器的電容量提出了更高的要求?，F(xiàn)有技術(shù)中，薄膜電容器一般包括基板、電介質(zhì)層以及電極層。電介質(zhì)層的微觀結(jié)構(gòu)是決定電容器性能的關(guān)鍵因素。因此，對于薄膜電容器基板的材料構(gòu)造有嚴(yán)格的要求?，F(xiàn)有的薄膜電容器基板多有采用金屬鎳來構(gòu)成。為了在提高電容量的同時不影響電容器的性能，鎳基板的純度和雜質(zhì)構(gòu)成就不能忽視。若鎳基板中含有不期望的雜質(zhì)，或者其純度不足，將限制薄膜電容器的電容量提高，并且可能增加其泄...
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