技術(shù)編號(hào)：6789584
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及InP MMIC制備，尤其涉及一種改進(jìn)的對(duì)InP材料進(jìn)行減薄和拋光的方法。背景技術(shù)隨著高新技術(shù)不斷應(yīng)用于軍事領(lǐng)域，射頻微波信號(hào)頻率越來越高，頻段越來越寬，數(shù)字芯片的處理能力越來越強(qiáng)，現(xiàn)代戰(zhàn)爭逐漸進(jìn)入了信息化時(shí)代和數(shù)字化時(shí)代。電子器件的快速發(fā)展使信號(hào)的傳輸速率越來越快，II1-V族化合物憑借其優(yōu)良的頻率特性，其半導(dǎo)體器件和相關(guān)的超高速數(shù)字/數(shù)?；旌想娐氛诔蔀檐娛峦ㄓ?、雷達(dá)、制導(dǎo)、空間防御、高速智能化武器及電子對(duì)抗等現(xiàn)代化國防裝備的核心部件之一。特...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。