技術編號：6790771
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體行業(yè)晶格失配異質結材料生長，尤其涉及一種可廣泛應用于紅外焦平面技術的。背景技術紅外焦平面探測器特別是中波波段銻化銦(InSb)紅外焦平面陣列(FPA)探測器的發(fā)展較為成熟，已在紅外制導、跟蹤、凝視成像武器裝備領域得到廣泛應用。銻化銦(InSb)紅外焦平面陣列(FPA)探測器系統(tǒng)由InSb像元陣列與Si讀出電路倒裝互連形成。InSb像元陣列與Si讀出電路倒裝互連后引入了應力，當應變超出InSb的承受能力時就會碎裂，同時應變還會降低探測器的性能...
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