技術(shù)編號：6791326
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路制造工藝，特別涉及一種溝槽的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的功率器件是目前最流行的功率開關(guān)器件之一，它采用在溝槽側(cè)壁生長柵氧化層并填充多晶硅形成柵極，這種溝槽柵結(jié)構(gòu)大大提高了功率器件平面面積的利用效率，使得單位面積可獲得更大的器件單元溝道寬度和電流密度，從而使器件獲得更大的電流導(dǎo)通能力。但是，在普通的溝槽結(jié)構(gòu)中，通常溝槽側(cè)壁與溝槽底部為垂直關(guān)系，因此，在對溝槽進行填充的過程中，當(dāng)溝槽上部填充完成時，溝槽下部仍然存在...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。