技術(shù)編號(hào):6794666
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種溝槽型半導(dǎo)體功率器件和其中的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著功率MOS器件工藝和設(shè)計(jì)的不斷成熟,國(guó)內(nèi)外功率MOS器件的競(jìng)爭(zhēng)也越來(lái)越激烈,降低器件的成本、提高器件的性能及可靠性也越來(lái)越迫切。在不影響器件性能的前提下,減少器件制造工藝中的光刻次數(shù)和縮小芯片的尺寸是降低器件成本的兩個(gè)重要手段。在功率MOS器件的發(fā)展過(guò)程中,為了降低成本,通常采用專(zhuān)利號(hào)為ZL200710302461.4的中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利公開(kāi)的一種基于四次光刻技術(shù)的溝槽型MOS器件制造工藝來(lái)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。