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溝槽型半導(dǎo)體功率器件及其終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6794666

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本實(shí)用新型涉及一種溝槽型半導(dǎo)體功率器件和其中的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著功率MOS器件工藝和設(shè)計(jì)的不斷成熟,國(guó)內(nèi)外功率MOS器件的競(jìng)爭(zhēng)也越來(lái)越激烈,降低器件的成本、提高器件的性能及可靠性也越來(lái)越迫切。在不影響器件性能的前提下,減少器件制造工藝中的光刻次數(shù)和縮小芯片的尺寸是降低器件成本的兩個(gè)重要手段。在功率MOS器件的發(fā)展過(guò)程中,為了降低成本,通常采用專(zhuān)利號(hào)為ZL200710302461.4的中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利公開(kāi)的一種基于四次光刻技術(shù)的溝槽型MOS器件制造工藝來(lái)...
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