技術(shù)編號(hào)：6797167
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有低介電常數(shù)的多孔硅石涂層、一種包含該多孔硅石涂層的半導(dǎo)體設(shè)備和一種能夠成為該多孔硅石涂層的涂料組合物。背景技術(shù) 聚硅氮烷涂料通過在大氣空氣中燒制而轉(zhuǎn)化成硅石涂層。這些硅石涂層由于優(yōu)異的電絕緣性能而用作半導(dǎo)體的中間層電介質(zhì)。在這些硅石涂層中，已采用完全無機(jī)硅石涂層作為優(yōu)異的半導(dǎo)體中間層電介質(zhì)，因?yàn)樗哂懈吣蜔嵝圆⒖捎糜诜巧钗g刻工藝。在這種情況下，硅石涂層的物理性能類似于二氧化硅(SiO2)且其介電常數(shù)在3.0-4.7的范圍內(nèi)。隨著集成電路的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。