技術(shù)編號：6798063
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種超導(dǎo)器件及其制造方法。在力圖將集成電路制造得使其具有更大的集成度的同時，要求集成電路具有高的工作速率。集成電路的電路結(jié)構(gòu)精密，這使其各放熱部件產(chǎn)生了工作速率和可靠性降低的問題。因此若能驅(qū)使半導(dǎo)體器件在液氮的溫度下工作，則其電子和空穴的遷移率將為在室溫下的3至4倍，從而可以改進(jìn)其頻率特性。以本專利申請書受讓人的名義于一九八七年三月九日申請的日本專利申請書昭-62-053724介紹了在半導(dǎo)體器件中采用超導(dǎo)體所作的努力。在該專利申請書中，提出了以...
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