技術(shù)編號(hào)：6798991
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，更具體地說，本發(fā)明涉及用于大規(guī)模集成電路技術(shù)的動(dòng)態(tài)操作的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的結(jié)構(gòu)與制造方法。1986年12月30日公布的Kume等人的美國專利U.S.4，633，438題為“疊層半導(dǎo)體存儲(chǔ)器”，它描述了一種進(jìn)行動(dòng)態(tài)操作的三管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中一個(gè)晶體管疊放在另一個(gè)晶體管上。寫入用的晶體管置于讀出用的晶體管上，其一端與晶體管的柵電極一起用來判斷數(shù)據(jù)。其另一端與讀出用...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。