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耐高電壓的場效應(yīng)功率晶體管固體組件的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6799665

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本實(shí)用新型為一種耐高電壓的場效應(yīng)功率晶體管固體組件(以下簡稱固體組件),它是由若干個(gè)互相串聯(lián)的VMOS增強(qiáng)型場效應(yīng)功率晶體管以及均壓和提供各串聯(lián)場效應(yīng)管的柵極偏壓的電阻網(wǎng)絡(luò)共同構(gòu)成并封裝于一體而制成的,其耐壓可達(dá)萬伏以上,額定輸出電流為數(shù)安培。目前半導(dǎo)體器件的工藝水平,單個(gè)雙極型晶體管或單個(gè)VMOS場效應(yīng)晶體管的耐壓已達(dá)到1000~2000伏。在電壓高于2000伏的應(yīng)用場合,例如放大、振蕩、穩(wěn)壓、穩(wěn)流,單個(gè)晶體管已無法勝任,一般由電子管來擔(dān)任。如高頻爐中的...
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