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技術(shù)編號：6804234

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本發(fā)明系相關(guān)于MOS晶體管，并且，系特別相關(guān)于適合用于RF功率(RF power，高頻功率)應(yīng)用與以SOI(silicon on isolator，絕緣硅片)作為基礎(chǔ)而加以建構(gòu)的MOS晶體管。適合用于RF功率應(yīng)用的MOS晶體管系需要具有低的寄生電容，以具有盡可能小的低通特征，而該寄生電容的降低則是有可能藉由將MOS晶體管建構(gòu)在一SOI基板上而加以實(shí)現(xiàn)，至于如此的SOI MOS晶體管，舉例而言，則是于EP 0562271 A1，WO99/40614 A2，以...
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