技術(shù)編號(hào)：6809578
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及基板處理方法和半導(dǎo)體裝置的制造方法，更具體地說(shuō)，涉及金屬膜的成膜方法。背景技術(shù) 近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體裝置性能的提高，半導(dǎo)體設(shè)備的集成化程度提高，對(duì)微細(xì)化的要求顯著，布線(xiàn)的尺度(rule)從0.13μm向0.10μm以下的區(qū)域開(kāi)發(fā)。此外，布線(xiàn)材料也從目前的Al置換為布線(xiàn)延遲的影響少，電阻值小的Cu。由此，Cu成膜技術(shù)和微細(xì)布線(xiàn)技術(shù)的組合成為近年來(lái)進(jìn)行微細(xì)化多層布線(xiàn)技術(shù)的重要關(guān)鍵技術(shù)。有關(guān)上述的Cu的成膜方法通常有已知的濺射法，CVD法，電鍍法等。在考...
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