技術(shù)編號：6811470
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的涉及一種制造金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(在下文稱為＂MOSFET＂)的方法，更具體地說，除涉及該方法之外還涉及生產(chǎn)效率和器件工作可靠性的改進(jìn)。通常，由于半導(dǎo)體器件被高度集成，所以，MOSFET的柵電極變窄。如果柵電極的寬度減少N倍，則它的電阻值增加N倍，因此，降低半導(dǎo)體器件的工作速度。為了減少柵電極的電阻值，使用最近提出來的多晶硅化物，多晶硅和硅化物的疊層結(jié)構(gòu)作為低阻柵，其中在多晶硅層和氧化物之間的界面特性，顯示出最穩(wěn)定的MOSFET特性。而且...
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