技術(shù)編號:6811473
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路,尤其是涉及功率級的驅(qū)動電路。本發(fā)明針對一個(gè)自舉系統(tǒng),該系統(tǒng)中的電容通過LDMOS(輕摻雜漏MOS)集成晶體管充電。在一個(gè)包含用來驅(qū)動分立或者是集成在同一包含驅(qū)動和控制電路的芯片中的功率器件的輸出級的集成電路中,為了保證功率器件驅(qū)動級的正確供電,通常采用自舉電容。在這類系統(tǒng)中,必須保證自舉電容能在很短的時(shí)間內(nèi)被充電,因此,為了保證自舉電容的快速充電,通常采用LDMOS晶體管。在一個(gè)叫作所謂高邊驅(qū)動器(HSD)(High Side Driv...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。