技術(shù)編號：6811835
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，說得更詳細一些的話，涉及可以保護已處于截止狀態(tài)或?qū)⑦_到截止狀態(tài)下的開關(guān)器件使之免受所加高壓破壞的電力控制用的。最近，作為電力控制用的半導(dǎo)體器件，IGBT(絕緣柵雙極晶體管)受到人們的重視。該IGBT是具有MOS構(gòu)造的雙極型器件，具有電力-MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極型晶體管的高耐壓和高導(dǎo)通特性。這種IGBT，例如如附圖說明圖1所示，在電壓為E1的直流電源301和電機線圈302的串聯(lián)電路內(nèi)以漏極電極D為正電位一側(cè)，以源極電極S為負電極一側(cè)進行...
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