技術(shù)編號(hào)：6811922
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體襯底上形成有氧化膜的半導(dǎo)體器件的制造方法。近來在制造較精細(xì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上的進(jìn)展，使得柵氧化膜可以做得更薄，但如果這時(shí)在結(jié)晶硅襯底的表面附近或表面上有重金屬和粒子，則在其上形成的氧化膜在顯微情況下將有不同的組分。包含的重金屬和粒子會(huì)妨礙形成均勻的氧化膜，劣化柵氧化膜的絕緣特性。結(jié)果，降低半導(dǎo)體的產(chǎn)量。有鑒于此，需要在制造工序中改進(jìn)清潔技術(shù)。這樣的清潔技術(shù)，有在干氫氣氛中清潔半導(dǎo)體襯底表面的常規(guī)方法(例如，Tokkaihei 4-68...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。